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HM3-6508-9

更新时间: 2024-11-08 21:16:15
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 输入元件静态存储器光电二极管输出元件内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 821K
描述
Standard SRAM, 1KX1, 250ns, CMOS, PDIP16

HM3-6508-9 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.86
最长访问时间:250 ns其他特性:LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
JESD-30 代码:R-PDIP-T16JESD-609代码:e0
内存密度:1024 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1功能数量:1
端子数量:16字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:1KX1封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

HM3-6508-9 数据手册

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