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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.72 |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HD1A4A-AY | RENESAS |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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| HD1A4A-AZ | RENESAS |
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1A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| HD1A4A-T1-AY | RENESAS |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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| HD1A4A-T2 | NEC |
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1000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN |
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| HD1A4M | NEC |
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on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| HD1A4M | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| HD1A4M-AZ | RENESAS |
获取价格 |
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| HD1A4M-T1-AY | RENESAS |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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| HD1A4M-T1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| HD1A4M-T2 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL |
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