Datasheet > H55S1222EFP-A3E

H55S1222EFP-A3E

更新时间： 2024-01-09 06:26:25

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器
页数	文件大小	规格书
54页	1097K
描述
128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 1M x 4Bank x32 I/O

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

H55S1222EFP-A3E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA90,9X15,32
针数：	90	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.82	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	105 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B90
JESD-609代码：	e1	长度：	13 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	STATIC COLUMN DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	4MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA90,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
子类别：	DRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 1M x 4Bank x32 I/O

Specification of

128M (4Mx32bit) Mobile SDRAM

Memory Cell Array

- Organized as 4banks of 1,048,576 x32

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.0 / Jun. 2008

12 3 4 5 6 7...54

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H55S1222EFP-A3M	HYNIX	获取价格	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 1M x 4Bank x32 I/O
H55S1262EFP-60E	HYNIX	获取价格	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O
H55S1262EFP-60M	HYNIX	获取价格	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O
H55S1262EFP-75E	HYNIX	获取价格	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O
H55S1262EFP-75M	HYNIX	获取价格	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O
H55S1262EFP-A3E	HYNIX	获取价格	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O
H55S1262EFP-A3M	HYNIX	获取价格	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O
H55S1G22MFP-60	HYNIX	获取价格	1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM
H55S1G22MFP-75	HYNIX	获取价格	1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM
H55S1G22MFP-A3	HYNIX	获取价格	1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM