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GTS15PI120C6H

更新时间： 2024-09-16 17:15:55

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银茂微 - SILVERMICRO		双极性晶体管
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PIM IGBT-1200V

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GTS15PI120C6H 数据手册

GTS15PI120C6H

Preliminary Data

IGBT Module

Features：



Short Circuit Rated >10μs

Low Saturation Voltage：V_{CE (sat)}= 2.15V @ I_C=15A , T_C=25℃

Low Switching Loss



100% RBSOA Tested（2×Ic）

Low Stray Inductance

Lead Free, Compliant with RoHS Requirement

Applications：



Industrial Inverters

Servo Applications



IGBT, Inverter

Maximum Rated Values (T_C=25℃ unless otherwise specified)

V_CES

V_GES

Collector-Emitter Blocking Voltage

Gate-Emitter Voltage

1200

±20

T_C= 80℃,

T_C= 25℃

T_J= 150℃

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

t_SC

P_D

Repetitive Peak Collector Current

Short Circuit Withstand Time

>10

170

μs

T_C= 25℃

Maximum Power Dissipation per IGBT

_Jmax=150℃

www.njsme.com

Page 1 Rev. 01

01/20/2017

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