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GTS25PI120B9H

更新时间： 2024-11-18 17:15:35

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银茂微 - SILVERMICRO		双极性晶体管
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13页	1759K
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PIM IGBT-1200V

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GTS25PI120B9H 数据手册

GTS25PI120B9H

IGBT Module

Features：

Field Stop Trench Gate IGBT

Short Circuit Rated ＞10μs

Low Saturation Voltage

Low Switching Loss

100% RBSOA Tested（2×Ic）

Low Stray Inductance

Lead Free, Compliant with RoHS Requirement

Applications：

Industrial Inverters

Servo Applications

IGBT, Inverter

Maximum Rated Values of IGBT(T_C=25℃ unless otherwise specified)

V_CES

V_GES

Collector-Emitter Blocking Voltage

Gate-Emitter Voltage

1200

±20

T_C=80℃

T_C=25℃

T_J=150℃

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

t_SC

Repetitive Peak Collector Current

Short Circuit Withstand Time

>10

μs

T_C=25℃

T_Jmax=150℃

P_D

Maximum Power Dissipation per IGBT

195

www.njsme.com

Page 1 REV.B

09/04/2019

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