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GTS25PI120T5H-T4

更新时间: 2024-09-14 17:15:35
品牌 Logo 应用领域
银茂微 - SILVERMICRO 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 400K
描述
PIM IGBT-1200V

GTS25PI120T5H-T4 数据手册

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GTS25PI120T5H-T4  
IGBT Module  
Features  
Field Stop Trench Gate IGBT  
Short Circuit Rated 10μs  
Low Saturation Voltage  
Low Switching Loss  
100% RBSOA Tested2×Ic)  
Low Stray Inductance  
Lead Free, Compliant with RoHS Requirement  
Applications:  
Industrial Inverters  
Servo Applications  
IGBT, Inverter  
Maximum Rated Values of IGBT(TC=25unless otherwise specified)  
VCES  
VGES  
Collector-Emitter Blocking Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
1200  
±20  
25  
V
V
TC=80℃  
TC=25  
TJ=150℃  
A
IC  
Continuous Collector Current  
50  
A
ICM  
tSC  
Repetitive Peak Collector Current  
Short Circuit Withstand Time  
50  
A
>10  
μs  
TC=25℃  
TJmax=150℃  
PD  
Maximum Power Dissipation per IGBT  
195  
W
www.njsme.com  
2019 NJSME All rights reserved  
Page 1 REV. A  
06/13/2019  

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