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GTS40PI120T5H-T4

更新时间: 2024-11-21 17:15:51
品牌 Logo 应用领域
银茂微 - SILVERMICRO 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 416K
描述
PIM IGBT-1200V

GTS40PI120T5H-T4 数据手册

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GTS40PI120T5H-T4  
IGBT Module  
Features  
Trench & Field Stop IGBT  
Short Circuit Rated>10μs  
Low Saturation Voltage  
Low Switching Loss  
100% RBSOA Tested2×Ic)  
Low Stray Inductance  
Lead Free, Compliant with RoHS Requirement  
Applications:  
Industrial Inverters  
Servo Applications  
IGBT, Inverter  
Maximum Rated Values (TC=25unless otherwise specified)  
VCES  
VGES  
Collector-Emitter Blocking Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
1200  
±20  
40  
V
V
TC = 80  
TC = 25℃  
TJ = 150℃  
A
IC  
Continuous Collector Current  
75  
A
ICM(1)  
tSC  
Peak Collector Current Repetitive  
Short Circuit Withstand Time  
80  
A
>10  
280  
μs  
W
TC = 25℃  
TJmax=150℃  
PD  
Maximum Power Dissipation per IGBT  
www.njsme.com  
2019NJSME All rights reserved  
Page 1 REV. A  
05/24/2019  

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