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GMBT8550

更新时间： 2024-09-17 03:39:39

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GTM		晶体晶体管局域网
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2页	224K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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GMBT8550 数据手册

GTM CORPORATION

Page : 1/2

GMBT8550

P N P E P I TA XI A L T R A N S I S T O R

Description

The GMBT8550 is designed for general purpose amplifier applications.

Package Dimensions

TPU.34)QBDLBHF*

Millimeter

Min. Max.

1.90 REF.

REF.

Min.

Max.

3.10

2.80

1.60

0.50

0.10

0.55

2.70

2.40

1.40

0.35

1.00

0.10

0.40

0.85

0̓

1.30

0.20

1.15

10̓

0.45

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25к

Parameter

Junction Temperature

Storage Temperature

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

Ratings

Unit

+150

Tstg

-55 ~ +150

-25

VCBO

VCEO

VEBO

-20

-5

-700

225

Total Power Dissipation

Characteristics at Ta = 25к

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BVCBO

-25

IC=-10uA

IC=-1mA

IE=-10uA

VCB=-20V

VEB=-6V

BVCEO

BVEBO

ICBO

IEBO

-20

-5

-1

-100

-500

-1

VCE(sat)

VBE(on)

hFE

IC=-500mA, IB=-50mA

VCE=-1V, IC=-150mA

VCE=-10V, IC=-20mA, f=100MHz

VCB=-10V, f=1MHz

100

150

500

MHz

Cob

Classification Of hFE

Rank

hFE

B9C

B9D

150 - 300

B9E

250 - 500

100 - 200

GTM Product Specification

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