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GMBT9012

更新时间： 2024-11-07 03:39:39

品牌	Logo	应用领域
GTM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	221K
描述
PNP EPITAXIAL TRANSISTOR

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GMBT9012 数据手册

GTM CORPORATION

Page : 1/2

GMBT9012

P N P E P I TA XI A L T R A N S I S T O R

Description

The GMBT9012 is designed for use in 1W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation.

Package Dimensions

TPU.34)QBDLBHF*

Millimeter

Min. Max.

1.90 REF.

REF.

Min.

2.70

2.40

1.40

0.35

Max.

3.10

2.80

1.60

0.50

0.10

0.55

1.00

0.10

0.40

0.85

0̓

1.30

0.20

1.15

10̓

0.45

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25к

Parameter

Junction Temperature

Storage Temperature

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

Ratings

Unit

+150

Tstg

-55 ~ +150

-40

VCBO

VCEO

VEBO

-20

-5

-500

225

Total Power Dissipation

Characteristics at Ta = 25к

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BVCBO

-40

IC=-100uA , IE=0

IC=-1mA, IB=0

IE=-100uA, IC=0

VCE=-25V, IE=0

VEB=-3V, IC=0

BVCEO

BVEBO

ICBO

-20

-5

-100

-0.6

-1.2

-0.9

300

IEBO

VCE(sat)

VBE(sat)

VBE(on)

hFE1

IC=-500mA, IB=-50mA

VCE=-1V, IC=-10mA

112

100

180-

VCE=-1V, IC=-50mA

hFE2

VCE=-1V, IC=-500mA

VCE=-1V, IC=-10mA, f=100MHz

VCB=-10V, f=1MHz

MHz

Cob

Classification Of HFE1

Rank

hFE

112 - 166

144 - 202

176 - 300

GTM Product Specification

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