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GMBT9013

更新时间： 2024-09-17 03:39:39

品牌	Logo	应用领域
GTM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	237K
描述
NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

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GMBT9013 数据手册

GTM CORPORATION

Page : 1/3

GMBT9013

N P N E P I TA XI A L T R A N S I S T O R

Description

The GMBT9013 is designed for use in 1W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation.

Package Dimensions

TPU.34)QBDLBHF*

Millimeter

Min. Max.

1.90 REF.

REF.

Min.

2.70

2.40

1.40

0.35

Max.

3.10

2.80

1.60

0.50

0.10

0.55

1.00

0.10

0.40

0.85

0̓

1.30

0.20

1.15

10̓

0.45

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25к

Parameter

Junction Temperature

Storage Temperature

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

Ratings

Unit

+150

Tstg

-55 ~ +150

VCBO

VCEO

VEBO

500

225

Total Power Dissipation

Characteristics at Ta = 25к

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BVCBO

IC=100uA , IE=0

IC=1mA, IB=0

BVCEO

BVEBO

ICBO

IE=100uA, IC=0

100

0.6

1.2

0.9

300

VCE=25V, IE=0

IEBO

VEB=3V, IC=0

VCE(sat)

VBE(sat)

VBE(on)

HFE1

IC=500mA, IB=50mA

VCE=1V, IC=10mA

VCE=1V, IC=50mA

VCE=1V,IC=500mA

112

100

180

HFE2

MHz

VCE=1V, IC=10mA,f=100MHz

VCB=10V, f=1MHz, IE=0

Cob

Classification Of hFE1

Rank

hFE

144-202

176-300

112-166

GTM Product Specification

12 3

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