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GMBTA42

更新时间： 2022-04-23 23:00:11

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GTM		晶体晶体管局域网
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2页	194K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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GMBTA42 数据手册

ISSUED DATE :2003/11/27

REVISED DATE :2005/01/21B

GTM

CORPORATION

GMBTA42

N P N E P I T AX I A L P L A N A R T R A N S I S T O R

Description

The GMBTA42 is designed for high voltage transistor.

Package Dimensions

TPU.34)QBDLBHF*

Millimeter

Min. Max.

1.90 REF.

REF.

Min.

Max.

3.10

2.80

1.60

0.50

0.10

0.55

2.70

2.40

1.40

0.35

1.00

0.10

0.40

0.85

0̓

1.30

0.20

1.15

10̓

0.45

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25к

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Junction Temperature

+150

Storage Temperature

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Tstg

VCBO

VCEO

VEBO

-55~+150

300

500

Total Power Dissipation

350

Characteristics at Ta = 25к

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BVCBO

300

IC=100uA , IE=0

IC=1mA ,IB=0

BVCEO

BVEBO

ICBO

300

IE=100uA ,IC=0

VCB=200V, IE=0

VEB=6V ,IC=0

100

IEBO

VCE(sat)

500

900

IC=20mA, IB=2mA

VBE(sat)

hFE1

hFE2

hFE3

IC=20mA, IB=2mA

VCE=10V, IC=1mA

VCE=10V, IC=10mA

VCE=10V, IC=30mA

MHz

VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz

VCB=20V, f=1MHz

Cob

GMBTA42

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