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GMBTA94

更新时间： 2024-11-09 03:39:39

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GTM		晶体晶体管局域网
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2页	183K
描述
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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GMBTA94 数据手册

ISSUED DATE :2002/03/25

REVISED DATE :2006/10/13B

GTM

CORPORATION

GMBTA94

P N P E P I TA X I A L P L A N A R T R A N S I S T O R

Description

The GMBTA94 is designed for application requires high voltage.

Package Dimensions

TPU.34)QBDLBHF*

Millimeter

Min. Max.

1.90 REF.

REF.

Min.

Max.

3.10

2.80

1.60

0.50

0.10

0.55

2.70

2.40

1.40

0.35

1.00

1.30

0.20

0.10

0.40

0.85

0°

1.15

10°

0.45

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25к

Parameter

Junction Temperature

Storage Temperature

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

Ratings

+150

Unit

Tstg

-55~+150

-400

-6

VCBO

VCEO

VEBO

-300

350

Total Power Dissipation

Electrical Characteristics (Ta = 25к, unless otherwise noted)

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BVCBO

-400

=-100uA, I

=-1mA, I =0

E=0

BVCEO

BVEBO

-400

-6

E=-10uA, IC

CBO

EBO

CES

-100

-500

-350

-500

-750

CB=-400V, IE=0

EB=-4V, I

CE=-400V

VCE(sat)

VBE(sat)

=-1mA, IB=-0.1mA

=-20mA, I

=-50mA, I

=-10mA, I

CE=-10V, I

=-2mA

=-5mA

=-1mA

300

=-10mA

=-50mA

=-100mA

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