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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS30KMJ-3 | RENESAS |
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High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
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| FS30KMJ-3 | POWEREX |
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Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS30KMJ-3 | MITSUBISHI |
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HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS30KMJ-3-A8 | RENESAS |
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High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
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| FS30R06KL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 30A I(C) |
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| FS30R06VE3 | EUPEC |
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IGBT-modules |
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| FS30R06W1E3 | INFINEON |
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EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC |
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| FS30R06W1E3_B11 | INFINEON |
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EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / |
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| FS30R06W1E3-B11 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-22 |
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| FS30R06W1E3B11BOMA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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