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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | MODULE-22 | 针数： | 22 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.09 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 45 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | COMPLEX |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X15 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 15 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 355 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 52 ns | VCEsat-Max： | 2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS30R06W1E3_B11 | INFINEON |
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EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / |
|
| FS30R06W1E3-B11 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-22 |
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| FS30R06W1E3B11BOMA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FS30R06W1E3BOMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-22 |
|
| FS30R06XE3 | EUPEC |
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IGBT-modules |
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| FS30R06XL4 | INFINEON |
获取价格 |
Höchstzulässige Werte / maximum rated value |
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| FS30SM03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR |
|
| FS30SM-03 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FS30SM06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR |
|
| FS30SM-06 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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