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FS30R06XE3

更新时间： 2024-01-14 23:18:18
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EUPEC 晶体晶体管双极性晶体管局域网
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8页 310K
描述
IGBT-modules

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FS30R06XE3 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X16针数：16
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.09Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：37 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：COMPLEX
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X16
元件数量：6端子数量：16
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：245 ns标称接通时间 (ton)：42 ns
VCEsat-Max：2 VBase Number Matches：1

FS30R06XE3 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FS30R06XE3  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Vorläufige Daten / preliminary data  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
600  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 65°C, TÝÎ = 175°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
30  
37  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
60  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
100  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 30 A, V•Š = 15 V  
I† = 30 A, V•Š = 15 V  
I† = 30 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ  
TÝÎ = 150°C  
1,55 2,00  
1,70  
1,80  
V
V
V
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 0,30 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
V•ŠÚÌ  
Q•  
4,9  
5,8  
0,30  
0,0  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
CØþÙ  
I†Š»  
I•Š»  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 600 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
1,65  
0,051  
nF  
nF  
mA  
nA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
1,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
400  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 30 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 15 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓÒ  
0,02  
0,02  
0,02  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 30 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 15 Â  
TÝÎ = 25°C  
tØ  
0,016  
0,021  
0,022  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 30 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 15 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓËË  
0,14  
0,16  
0,18  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 30 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 15 Â  
TÝÎ = 25°C  
tË  
0,045  
0,06  
0,065  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 30 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V, L» = 45 nH  
R•ÓÒ = 15 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
0,50  
0,65  
0,75  
mJ  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 30 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V, L» = 45 nH  
R•ÓËË = 15 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
0,60  
0,75  
0,80  
mJ  
mJ  
mJ  
EÓËË  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 360 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
t« ù 8 µs, TÝÎ = 25°C  
t« ù 6 µs, TÝÎ = 150°C  
210  
150  
A
A
I»†  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
1,35 1,50 K/W  
0,65 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Peter Kanschat  
approved by: Ralf Keggenhoff  
date of publication: 2005-2-11  
revision: 2.0  
1
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FS30R06XL4 INFINEON

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 		Höchstzulässige Werte / maximum rated value
FS30SM03 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR
FS30SM-03 MITSUBISHI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS30SM06 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR
FS30SM-06 POWEREX

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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FS30SM-06 MITSUBISHI

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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FS30SM2 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR
FS30SM3 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR
FS30SM-3 MITSUBISHI

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 		HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS30SM-3 POWEREX

获取价格

 		Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

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