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FS30R06XL4

更新时间： 2024-02-21 01:05:00
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
10页 239K
描述
Höchstzulässige Werte / maximum rated values

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FS30R06XL4 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：End Of Life零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X16针数：16
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.09Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：35 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：COMPLEX
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X16
元件数量：6端子数量：16
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：119 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：135 ns标称接通时间 (ton)：29 ns
VCEsat-Max：2.55 VBase Number Matches：1

FS30R06XL4 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FS30R06XL4  
vorläufige Daten  
preliminary data  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Elektrische Eigenschaften / electrical properties  
Kollektor Emitter Sperrspannung  
collector emitter voltage  
Tvj = 25 °C  
VCES  
600  
V
IC,nom.  
IC  
30  
35  
A
A
Kollektor Dauergleichstrom  
DC collector current  
TC = 60 °C  
TC =  
25 °C  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
tp= 1ms, TC =  
ICRM  
60 °C  
60  
119  
+20  
30  
A
W
V
Gesamt Verlustleistung  
total power dissipation  
Tc= 25°C, Transistor  
Ptot  
Gate Emitter Spitzenspannung  
gate emitter peak voltage  
VGES  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forward current  
tp= 1ms  
IFRM  
60  
A
Grenzlastintegral  
I²t value  
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C  
RMS, f= 50Hz, t= 1min  
I²t  
110  
2,5  
A²s  
kV  
Isolations Prüfspannung  
insulation test voltage  
VISOL  
Charakteristische Werte / characteristic values  
Transistor Wechselrichter / transistor inverter  
min.  
-
typ.  
1,95  
2,20  
max.  
2,55  
-
VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom  
V
V
Kollektor Emitter Sättigungsspannung  
VCEsat  
VGE(th)  
QG  
collector emitter saturation voltage  
V
GE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom  
-
Gate Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
V
CE= VGE, Tvj= 25°C, IC=  
0,7 mA  
4,5  
5,5  
0,16  
1,35  
0,12  
-
6,5  
V
Gateladung  
gate charge  
VGE= -15V...+15V  
µC  
nF  
nF  
mA  
nA  
-
-
-
-
-
Eingangskapazität  
input capacitance  
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V  
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V  
Cies  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Cres  
-
Kollektor Emitter Reststrom  
collector emitter cut off current  
VCE  
=
V, VGE= 0V, Tvj= 25°C  
ICES  
600  
-
5
Gate Emitter Reststrom  
gate emitter leakage current  
V
CE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C  
IGES  
-
-
400  
prepared by: P. Kanschat  
approved: M. Hierholzer  
date of publication:  
revision: 2.0  
2002-12-17  
1 (8)  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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