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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.37 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 300 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.17 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 90 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS30SMH03 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR |
|
| FS30SMH-03 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FS30SMH-03 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS30SMH06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR |
|
| FS30SMH-06 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FS30SMH2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR |
|
| FS30SMH-2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FS30SMH-2 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FS30SMH3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR |
|
| FS30SMH-3 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 150V, 0.087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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