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FS30SM-03

更新时间: 2024-09-30 14:50:23
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 132K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

FS30SM-03 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3P
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):30 A
最大漏极电流 (ID):30 A最大漏源导通电阻:0.046 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):30 W最大脉冲漏极电流 (IDM):120 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FS30SM-03 数据手册

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