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FS30R06W1E3B11BOMA1

更新时间： 2024-01-30 04:36:08

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
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Insulated Gate Bipolar Transistor,

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FS30R06W1E3B11BOMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	14 weeks	风险等级：	5.55
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

FS30R06W1E3B11BOMA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS30R06W1E3_B11

EasyPACKꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

EasyPACKꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 600V

I_{C nom}= 30A / I_CRM= 60A

TypischeꢀAnwendungen

• Klimaanlagen

TypicalꢀApplications

• AirꢀConditioning

• MotorꢀDrives

• Motorantriebe

• Servoumrichter

• USV-Systeme

• ServoꢀDrives

• UPSꢀSystems

ElektrischeꢀEigenschaften

• NiedrigeꢀSchaltverluste

• NiedrigesꢀV_CEsat

ElectricalꢀFeatures

• LowꢀSwitchingꢀLosses

• LowꢀV_CEsat

• TrenchꢀIGBTꢀ3

• V_CEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient

MechanischeꢀEigenschaften

MechanicalꢀFeatures

• Al₂O₃Substrat mit kleinem thermischen

• Al₂O₃ꢀSubstrateꢀwithꢀLowꢀThermalꢀResistance

Widerstand

• KompaktesꢀDesign

• Compactꢀdesign

• PressFITꢀVerbindungstechnik

• PressFITꢀContactꢀTechnology

• Robuste Montage durch integrierte

• Rugged mounting due to integrated mounting

Befestigungsklammern

clamps

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

ꢀDigit

ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05

revision:ꢀ2.0

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

12 3 4 5 6 7...9

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与FS30R06W1E3B11BOMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS30R06W1E3BOMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-22
FS30R06XE3	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FS30R06XL4	INFINEON	获取价格	HÃ¶chstzulÃ¤ssige Werte / maximum rated value
FS30SM03	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-247VAR
FS30SM-03	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS30SM06	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-247VAR
FS30SM-06	POWEREX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FS30SM-06	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FS30SM2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-247VAR
FS30SM3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-247VAR

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