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FS30R06W1E3-B11

更新时间： 2024-09-30 15:45:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	908K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-22

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FS30R06W1E3-B11 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X18	针数：	22
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.59	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	45 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	COMPLEX
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X18
元件数量：	6	端子数量：	18
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	355 ns
标称接通时间 (ton)：	52 ns	VCEsat-Max：	2 V
Base Number Matches：	1

FS30R06W1E3-B11 数据手册

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FS30R06W1E3_B11

EasyPACKꢀ模块ꢀ采用第三代沟槽栅/场终止IGBT3和第三代发射极控制二极管ꢀ带有pressfit压接管脚和温度检测NTC

EasyPACKꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

初步数据ꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 600V

I_{C nom}= 30A / I_CRM= 60A

典型应用

• 空调

TypicalꢀApplications

• AirꢀConditioning

• MotorꢀDrives

• 电机传动

• 伺服驱动器

• UPS系统

• ServoꢀDrives

• UPSꢀSystems

电气特性

ElectricalꢀFeatures

• 低开关损耗

• 低ꢀꢀV_CEsat

• LowꢀSwitchingꢀLosses

• LowꢀV_CEsat

• 沟槽栅IGBT3

• V_CEsatꢀꢀ带正温度系数

• TrenchꢀIGBTꢀ3

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient

机械特性

MechanicalꢀFeatures

• 低热阻的三氧化二铝（ꢀAl₂O₃ꢀ衬底

• 紧凑型设计

• Al₂O₃ꢀSubstrateꢀwithꢀLowꢀThermalꢀResistance

• Compactꢀdesign

• PressFITꢀ压接技术

• 集成的安装夹使安装坚固

• PressFITꢀContactꢀTechnology

• Rugged mounting due to integrated mounting

clamps

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

ꢀDigit

ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05

revision:ꢀ2.0

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS30R06W1E3B11BOMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FS30R06W1E3BOMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-22
FS30R06XE3	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FS30R06XL4	INFINEON	获取价格	HÃ¶chstzulÃ¤ssige Werte / maximum rated value
FS30SM03	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-247VAR
FS30SM-03	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS30SM06	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-247VAR
FS30SM-06	POWEREX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FS30SM-06	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FS30SM2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-247VAR

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