生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | TO-220FN, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.32 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 150 V | 最大漏极电流 (ID): | 30 A |
最大漏源导通电阻: | 0.09 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 120 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FS30R06KL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 30A I(C) | |
FS30R06VE3 | EUPEC |
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IGBT-modules | |
FS30R06W1E3 | INFINEON |
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EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC | |
FS30R06W1E3_B11 | INFINEON |
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EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / | |
FS30R06W1E3-B11 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-22 | |
FS30R06W1E3B11BOMA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
FS30R06W1E3BOMA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-22 | |
FS30R06XE3 | EUPEC |
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IGBT-modules | |
FS30R06XL4 | INFINEON |
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Höchstzulässige Werte / maximum rated value | |
FS30SM03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR |