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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 640 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 31 A | 最大漏源导通电阻： | 0.75 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 124 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP34N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQP34N20LJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQP3N25 | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |
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| FQP3N25J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 250V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQP3N30 | ONSEMI |
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N 沟道 QFET® MOSFET 300V，3.2A，2.2Ω |
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| FQP3N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
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| FQP3N30J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 300V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQP3N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQP3N40J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 400V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQP3N50C | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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