5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-92L |
| 包装说明： | TO-92L, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.21 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.35 A | 最大漏源导通电阻： | 5.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1.4 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQNL2N50BTA_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 500V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FQN-R-3 | COOPER |
获取价格 |
Electric Fuse, Time Delay Blow, 3A, 600VAC, 200000A (IR), Inline/holder |
|
| FQP10N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQP10N20_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQP10N20C | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQP10N20C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，9.5 A，360 mΩ，TO-22 |
|
| FQP10N20CTSTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| FQP10N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQP10N50CF | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQP10N50CF_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET Improved dv/dt capability |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
