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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-92L |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.21 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.35 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.35 A | 最大漏源导通电阻： | 5.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1.4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQN-R-3 | COOPER |
获取价格 |
Electric Fuse, Time Delay Blow, 3A, 600VAC, 200000A (IR), Inline/holder |
|
| FQP10N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQP10N20_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQP10N20C | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQP10N20C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，9.5 A，360 mΩ，TO-22 |
|
| FQP10N20CTSTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| FQP10N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQP10N50CF | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQP10N50CF_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET Improved dv/dt capability |
|
| FQP10N60 | TGS |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
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