FPD750DFN

更新时间： 2024-02-11 18:22:00

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FILTRONIC		晶体晶体管
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5页	215K
描述
LOW NOISE, HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMTT

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FPD750DFN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DFN
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.58	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	8 V	FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	S-PDSO-N6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET RF Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

FPD750DFN 数据手册

FPD750DFN

LOW NOISE, HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMTT

• PERFORMANCE (1850 MHz)

♦ 24 dBm Output Power (P_1dB

)

♦ 20 dB Small-Signal Gain (SSG)

♦ 0.3 dB Noise Figure at 25% Bias

♦ 39 dBm Output IP3 at 50% Bias

♦ 45% Power-Added Efficiency

♦ Evaluation Boards Available

♦ Featuring Lead Free Finish Package

• DESCRIPTION AND APPLICATIONS

The FPD750DFN is a packaged depletion mode AlGaAs/InGaAs pseudomorphic High Electron

Mobility Transistor (pHEMT). It utilizes a 0.25 μm x 750 μm Schottky barrier Gate, defined by

high-resolution stepper-based photolithography. The recessed and offset Gate structure minimizes

parasitics to optimize performance, with an epitaxial structure designed for improved linearity over a

range of bias conditions and input power levels. The FPD750DFN is available in die form and in

other packages.

Typical applications include drivers or output stages in PCS/Cellular base station high-intercept-

point LNAs, WLL and WLAN systems, and other types of wireless infrastructure systems.

• ELECTRICAL SPECIFICATIONS AT 22°C

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max Units

RF SPECIFICATIONS MEASURED AT f = 1850 MHz USING CW SIGNAL

Power at 1dB Gain Compression

Small-Signal Gain

P_1dB

SSG

PAE

V_DS= 5 V; I_DS= 50% I_DSS

22.5

dBm

Power-Added Efficiency

_DS= 5 V; I_DS= 50% I_DSS

;

P_OUT= P_1dB

Noise Figure

IP3

V_DS= 5 V; I_DS= 50% I_DSS

V_DS= 5 V; I_DS= 25% I_DSS

V_DS= 5V; I_DS= 50% I_DSS

Matched for optimal power

Matched for best IP3

0.7

0.3

1.1

0.9

Output Third-Order Intercept Point

(from 15 to 5 dB below P_1dB

)

dBm

Saturated Drain-Source Current

Maximum Drain-Source Current

Transconductance

I_DSS

I_MAX

G_M

V_DS= 1.3 V; V_GS= 0 V

V_DS= 1.3 V; V_GS≅ +1 V

V_DS= 1.3 V; V_GS= 0 V

V_GS= -5 V

180

230

375

200

280

μA

Gate-Source Leakage Current

Pinch-Off Voltage

I_GSO

|V_P|

V_DS= 1.3 V; I_DS= 0.75 mA

I_GS= 0.75 mA

0.7

1.0

1.3

Gate-Source Breakdown Voltage

Gate-Drain Breakdown Voltage

|V_BDGS

|V_BDGD

I_GD= 0.75 mA

Phone: +1 408 850-5790

Fax: +1 408 850-5766

http://www.filtronic.co.uk/semis

Revised: 11/14/05

Email: sales@filcsi.com

12 3 4 5

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与FPD750DFN相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FPD750DFN_1	FILTRONIC	LOW NOISE HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT	获取价格
FPD750P100	FILTRONIC	0.5W PACKAGED POWER PHEMT	获取价格
FPD750SOT343	FILTRONIC	LOW NOISE, HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT	获取价格
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FPD750SOT343CE	FILTRONIC	LOW NOISE HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT	获取价格
FPD750SOT343E	FILTRONIC	LOW NOISE HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT	获取价格

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