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FPD750SOT89CE

更新时间： 2024-02-20 03:07:55
品牌 Logo 应用领域
FILTRONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 849K
描述
LOW NOISE HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT

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FPD750SOT89CE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：5A991.G
HTS代码：8541.21.00.40风险等级：5.73
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：8 V
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITYJESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：2
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：1.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET RF Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

FPD750SOT89CE 数据手册

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FPD750SOT89  
Datasheet 3.0  
LOW NOISE HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT  
RoHS  
PACKAGE:  
FEATURES (1.85GHZ):  
•
•
•
•
•
•
25 dBm Output Power (P1dB)  
18 dB Small-Signal Gain (SSG)  
0.6 dB Noise Figure  
9
39 dBm Output IP3  
55% Power-Added Efficiency  
FPD750SOT89E: RoHS compliant  
(Directive 2002/95/EC)  
GENERAL DESCRIPTION:  
The FPD750SOT89 is a packaged depletion  
mode AlGaAs/InGaAs pseudomorphic High  
Electron Mobility Transistor (pHEMT). It  
utilizes a 0.25 µm x 750 µm Schottky barrier  
Gate, defined by high-resolution stepper-  
based photolithography. The double recessed  
gate structure minimizes parasitics to optimize  
performance, with an epitaxial structure  
designed for improved linearity over a range of  
bias conditions and i/p power levels.  
TYPICAL APPLICATIONS:  
•
Drivers or output stages in PCS/Cellular  
base station transmitter amplifiers  
High intercept-point LNAs  
•
•
WLL and WLAN systems, and other types  
of wireless infrastructure systems.  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS:  
PARAMETER  
Power at 1dB Gain Compression  
Small-Signal Gain  
SYMBOL  
CONDITIONS  
MIN  
23  
TYP  
25  
MAX  
UNITS  
dBm  
P1dB  
VDS = 5 V; IDS = 50% IDSS  
VDS = 5 V; IDS = 50% IDSS  
SSG  
16.5  
18  
dB  
Power-Added Efficiency  
Noise Figure  
PAE  
NF  
VDS = 5 V; IDS = 50% IDSS;  
POUT = P1dB  
50  
%
VDS = 5 V; IDS = 50% IDSS  
VDS = 5 V; IDS = 25% IDSS  
0.8  
0.6  
1.0  
dB  
Output Third-Order Intercept Point  
(from 15 to 5 dB below P1dB)  
IP3  
VDS = 5V; IDS = 50% IDSS  
Matched for optimal power  
Matched for best IP3  
36  
38  
39  
dBm  
Saturated Drain-Source Current  
Maximum Drain-Source Current  
Transconductance  
IDSS  
IMAX  
GM  
VDS = 1.3 V; VGS = 0 V  
185  
230  
375  
200  
1
280  
mA  
mA  
mS  
VDS = 1.3 V; VGS ≅ +1 V  
VDS = 1.3 V; VGS = 0 V  
VGS = -5 V  
Gate-Source Leakage Current  
Pinch-Off Voltage  
IGSO  
15  
µA  
V
|VP|  
VDS = 1.3 V; IDS = 0.75 mA  
IGS = 0.75 mA  
0.7  
12  
12  
1.0  
16  
1.3  
Gate-Source Breakdown Voltage  
Gate-Drain Breakdown Voltage  
Thermal Resistance  
|VBDGS|  
|VBDGD|  
RθJC  
V
IGD = 0.75 mA  
16  
V
83  
°C/W  
Note: TAMBIENT = 22°C; RF specification measured at f = 1850 MHz using CW signal (except as noted)  
1
Specifications subject to change without notice  
Filtronic Compound Semiconductors Ltd  
Tel: +44 (0) 1325 301111  
Fax: +44 (0) 1325 306177  
Email: sales@filcs.com  
Website: www.filtronic.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FPD750SOT89E FILTRONIC

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