是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 2.16 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 最大集电极电流 (IC): | 1 A |
集电极-发射极最大电压: | 40 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 30 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | PNP | 参考标准: | AEC-Q101 |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 150 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FMMT591ATA | DIODES |
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SOT23 PNP silicon planar medium power transistor | |
FMMT591ATC | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 | |
FMMT591B | MCC |
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Tape:3K/Reel,120K/Ctn; | |
FMMT591BHE3 | MCC |
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Tape:3K/Reel,120K/Ctn; | |
FMMT591CSM | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1 | |
FMMT591DCSM | ETC |
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PNP | |
FMMT591HE3 | MCC |
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Tape: 3K/Reel,120K/Ctn; | |
FMMT591Q | DIODES |
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PNP, 60V, 1A, SOT23 | |
FMMT591Q | YANGJIE |
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SOT-23 | |
FMMT591QTA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |