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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT560
FMMT560 PDF预览

FMMT560

更新时间： 2024-11-07 10:34:51
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管光电二极管高压PC局域网
页数 文件大小 规格书
4页 476K
描述
PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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FMMT560 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：1.02Samacsys Confidence：
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：581943
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Undefined or Miscellaneous
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：SOT91P240X120-3N
Samacsys Released Date：2017-01-11 16:09:24Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：500 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：60 MHzBase Number Matches：1

FMMT560 数据手册

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A Product Line of  
Diodes Incorporated  
FMMT560  
PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
Features  
Mechanical Data  
•
•
Case: SOT-23  
•
•
•
•
Excellent hFE Characteristics up to IC = 50mA  
Low Saturation Voltages  
Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant (Note 1)  
"Green" Device (Note 2)  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals: Matte Tin Finish annealed over Copper leadframe  
(Lead Free Plating). Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
•
•
•
•
•
•
Terminal Connections: See Diagram  
Marking Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
C
E
C
B
E
B
Top View  
Pin Configuration  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
Unit  
V
-500  
-500  
-5  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
Continuous Collector Current  
Peak Pulse Current  
-150  
-500  
mA  
mA  
ICM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation  
Symbol  
PD  
Value  
500  
Unit  
mW  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 3)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
-500  
-500  
-5  
V
V
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO; ICES  
IEBO  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
IC = -100μA  
IC = -10mA  
V
IE = 100μA  
VCB = -500V, VCE = -500V  
VEB = -5V  
-100  
nA  
nA  
⎯
⎯
Emitter Cutoff Current  
-100  
ON CHARACTERISTICS (Note 3)  
I
C = -1mA, VCE = -10V  
IC = -50mA, VCE = -10V  
C = -100mA, VCE = -10V  
100  
80  
⎯
300  
300  
⎯
⎯
⎯
15  
DC Current Gain  
hFE  
⎯
I
IC = -20mA, IB = -2mA  
IC = -50mA, IB = -10mA  
IC = -50mA, VCE = -10V  
IC = -50mA, IB = -10mA  
-0.2  
-0.5  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
V
VCE(SAT)  
⎯
⎯
Base-Emitter Turn-On Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
Output Capacitance  
-0.9  
-0.9  
V
V
VBE(ON)  
⎯
⎯
⎯
⎯
VBE(SAT)  
8
pF  
Cobo  
fT  
⎯
⎯
⎯
VCB = -20V, f = 1MHz  
VCE = -20V, IC = -10mA,  
f = 50MHz  
Current Gain-Bandwidth Product  
60  
MHz  
⎯
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Turn-On Time  
110  
1.5  
ns  
ton  
toff  
⎯
⎯
⎯
⎯
V
CE = -100V, IC = -50mA,  
Turn-Off Time  
IB1 = -5mA, IB2 = 10mA  
μs  
Notes:  
1. No purposefully added lead. Halogen and Antimony Free.  
2. Diodes Inc.'s "Green" Policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300µs. Duty cycle ≤2%  
1 of 4  
www.diodes.com  
May 2009  
© Diodes Incorporated  
FMMT560  
Document Revision: 3  
1234

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