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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT591
FMMT591 PDF预览

FMMT591

更新时间： 2024-09-12 22:20:31
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页数 文件大小 规格书
2页 133K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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FMMT591 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：7.49最大集电极电流 (IC)：1 A
基于收集器的最大容量：10 pF集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
VCEsat-Max：0.6 VBase Number Matches：1

FMMT591 数据手册

 浏览型号FMMT591的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 PNP SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
FMMT591  
ISSUE 3 - OCTOBER 1995  
✪
FEATURES  
*
Low Equivalent on resistance RCE(sat)=355mΩ at 1A*  
E
C
COMPLEMENTARY TYPE- FMMT491  
PARTMARKING DETAIL - 591  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-80  
-60  
V
-5  
-2  
V
Peak Pulse Current  
A
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
-1  
A
IB  
-200  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Ptot  
500  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNITCONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown Voltage V(BR)CBO -80  
V
V
IC=-100µA, IE=0  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
V(BR)CEO -60  
IC=-10mA, IB=0*  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
V(BR)EBO -5  
ICBO  
V
IE=-100µA, IC=0  
-100  
-100  
-100  
nA VCB=-60V  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
nA VEB=-4V, IC=0  
nA VCES=-60V  
Collector-Emitter Cut-Off Current  
ICES  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
-0.3  
-0.6  
V
V
IC=-500mA,IB=-50mA*  
IC=-1A, IB=-100mA*  
IC=-1A, IB=-100mA*  
IC=-1A, VCE=-5V*  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Turn-on Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
-1.2  
-1.0  
V
V
Static Forward Current Transfer  
Ratio  
hFE  
100  
100  
80  
IC=-1mA, VCE=-5V*  
IC=-500mA, VCE=-5V*  
IC=-1A, VCE=-5V*  
IC=-2A, VCE=-5V*  
300  
15  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
150  
MHz IC=-50mA, VCE=-10V  
f=100MHz  
Cobo  
10  
pF VCB=-10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
3 - 137  
12

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