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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT589TA
FMMT589TA PDF预览

FMMT589TA

更新时间： 2024-11-07 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 52K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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FMMT589TA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.32最大集电极电流 (IC)：1 A
基于收集器的最大容量：15 pF集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.65 VBase Number Matches：1

FMMT589TA 数据手册

  
SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM  
FMMT589  
POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR  
✪
FEATURES  
ISSUE 5 - JANUARY 1997  
*
Low equivalent on-resistance; RCE(sat) 250mΩ at 1A  
E
C
PARTMARKING DETAILS -  
COMPLEMENTARY TYPE -  
589  
FMMT489  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-50  
-30  
V
-5  
-2  
V
Peak Pulse Current  
A
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
-1  
A
IB  
-200  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Ptot  
500  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
V(BR)CBO -50  
MAX.  
UNIT  
CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V
IC=-100µA  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
V(BR)CEO -30  
V
IC=-10mA*  
Emitter-Base Breakdown Voltage V(BR)EBO -5  
V
IE=-100µA  
VCB=-30V  
VCES=-30V  
Collector Cut-Off Current  
ICBO  
ICES  
-100  
-100  
nA  
nA  
Collector -Emitter Cut-Off  
Current  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-100  
nA  
VEB=-4V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-0.25  
-0.35  
-0.65  
V
V
V
IC=-0.5A, IB=-50mA*  
IC=-1A, IB=-100mA*  
IC=-2A, IB=-200mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
-1.2  
V
IC=-1A, IB=-100mA*  
Base-Emitter  
Turn-on Voltage  
-1.1  
V
IC=-1A, VCE=-2V*  
Static Forward Current Transfer hFE  
Ratio  
100  
100  
80  
IC=-1mA, VCE=-2V*  
IC=-500mA, VCE=-2V*  
IC=-1A, VCE=-2V*  
IC=-2A, VCE=-2V*  
300  
15  
40  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
100  
MHz  
pF  
IC=-100mA, VCE=-5V  
f=100MHz  
Cobo  
VCB=-10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
For typical Characteristics graphs see FMMT549 datasheet  
3 - 136  
1

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与FMMT589TA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMMT589TC DIODES

获取价格

 		1000mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-23, 3 PIN
FMMT591 BL Galaxy Electrical

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 		PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
FMMT591 ZETEX

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