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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT4124
FMMT4124 PDF预览

FMMT4124

更新时间： 2024-11-14 06:59:43
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 292K
描述
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(NPN)

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FMMT4124 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.24最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：265
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzBase Number Matches：1

FMMT4124 数据手册

 浏览型号FMMT4124的Datasheet PDF文件第2页 
RECTRON  
TECHNICAL SPECIFICATION  
SEMICONDUCTOR  
FMMT4124  
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS  
TRANSISTOR(NPN)  
FEATURES  
* Power dissipation  
PCM :  
* Collector current  
ICM :  
0.33  
0.2  
W (Tamb=25OC)  
A
* Collector-base voltage  
30  
V
:
V
(BR)CBO  
SOT-23  
* Operating and storage junction temperature range  
T ,Tstg: -55OC to +150OC  
J
COLLECTOR  
3
MECHANICAL DATA  
0.055(1.40)  
0.047(1.20)  
BASE  
* Case: Molded plastic  
1
2
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
EMITTER  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
* Weight: 0.008 gram  
0.100(2.55)  
0.089(2.25)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
1
2
0.019(2.00)  
0.071(1.80)  
0.118(3.00)  
0.110(2.80)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase , half wave, 60HZ, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
3
Dimensions in inches and (millimeters)  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25 C unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
MIN  
30  
TYP  
-
MAX  
-
UNITS  
Collector-base breakdown voltage (I = 10µA, I =0)  
V
V
V
V
C
E
(BR)CBO  
Collector-emitter breakdown voltage (I = 1mA, I =0)  
V
25  
5
-
-
-
-
C
B
(BR)CEO  
Emitter-base breakdown voltage (I = 10µA, I =0)  
V
E
C
(BR)EBO  
Collector cut-off current (V = 20V, I =0)  
I
-
-
-
-
0.05  
0.05  
µA  
µA  
CB  
E
CBO  
DC current gain (V = 3V, I = 0)  
I
EB  
C
EBO  
Collector-emitter saturation voltage (V = 1V, I = 2mA)  
h
120  
-
-
-
-
360  
0.3  
0.95  
-
-
CE  
C
FE  
Base-emitter saturation voltage (I = 50mA, I = 5mA)  
V
-
-
V
V
C
B
CE(sat)  
Base-emitter voltage ((I = 50mA, I = 5mA)  
V
C
B
BE(sat)  
Transition frequency (V = 20V, I = -10mA, f=100MHZ)  
fT  
300  
MHZ  
CE  
C
ZC  
Marking  
2006-3  
Note 1: "Fully ROHS compliant", "100% Sn plating (Pb-free)".  
12

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