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FMMT4124-SOT-23

更新时间： 2024-11-14 10:34:51

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江苏长电/长晶 - CJ		晶体晶体管
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3页	403K
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TRANSISTOR（ NPN ）

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FMMT4124-SOT-23 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

FMMT4124

FEATURES

TRANSISTOR（ NPN ）

SOT— 23

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Power dissipation

P_CM： 0.33W（Tamb=25℃）

Collector current

2.4

1.3

I_CM_：0.2A

Collector-base voltage

_{(BR) CBO}： 30V

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150℃

Unit : mm

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic=10μA， I_E=0

Ic= 1mA， I_B=0

(BR)CBO

(BR)CEO

I_E= 10μA， I_C=0

V_CB= 20 V , I_E=0

V_EB= 3V , I_C=0

V_CE= 1V, I_C= 2mA

I_C=50 mA, I_B= 5mA

(BR)EBO

I_CBO

0.05 μA

360

Emitter cut-off current

I_EBO

DC current gain

H_FE

120

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

0.3

0.95

V_CE=20V, I_C= 10mA

f =100MHz

Transition frequency

f_T

300

MHz

FMMT4124： 2C

Marking

12 3

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