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FMMT4126 PDF预览

FMMT4126

更新时间： 2024-11-14 04:18:43
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页数 文件大小 规格书
1页 33K
描述
SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR

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FMMT4126 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.32最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.33 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

FMMT4126 数据手册

  
SOT23 PNP SILICON PLANAR  
SWITCHING TRANSISTOR  
FMMT4126  
ISSUE 2 – MARCH 1995  
✪
PARTMARKING DETAIL –  
ZE  
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-25  
-25  
Collector-Emitter Voltage  
VCEO  
V
Emitter-Base Voltage  
VEBO  
-4  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
IC  
-200  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
330  
Tj:Tstg  
= 25°C).  
-55 to +150  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
-25  
-25  
-4  
IC=-10µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
V
IC=-1mA*  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
IE=-10µA  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
ICBO  
-50  
-50  
0.4  
nA  
nA  
V
VCB=-20V  
IEBO  
VEB=-3V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
IC=-50mA, IB=-5mA*  
Base-Emitter  
SaturationVoltage  
VBE(sat)  
hFE  
0.95  
360  
V
IC=-50mA, IB=-5mA*  
Static Forward  
Current Transfer Ratio  
120  
60  
IC=-2mA, VCE=-1V*  
IC=-50mA, VCE=-1V*  
Transistion Frequency  
Output Capacitance  
Input Capacitance  
Noise Figure  
fT  
250  
MHz  
pF  
IC=-10mA, VCE=-20V, f=100MHz  
VCB=-5V, IE=0, f=140KHz  
Cobo  
Cibo  
N
4.5  
10  
4
pF  
VBE=-0.5V, IE=0, f=140KHz  
dB  
IC=-200µA, VCE=-5V, Rg=-2kΩ  
f=30Hz to 15KHz at 3dB points  
Small Signal Current  
Transfer  
hfe  
120  
180  
IC=-2mA, VCE=-1V, f=1KHz  
SWITCHING CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C).  
PARAMETER  
Delay Time  
Rise Time  
SYMBOL  
TYP.  
UNIT  
CONDITIONS  
td  
tr  
ts  
tf  
25  
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC=-3V, VBE(off=) -0.5V  
IC=-10mA, IB1=-1mA  
18  
Storage Time  
Fall Time  
140  
15  
VCC=-3V, IC=-10mA  
IB1=IB2=-1mA  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
1

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