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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT4124TC
FMMT4124TC PDF预览

FMMT4124TC

更新时间： 2024-11-14 13:01:11
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体开关晶体管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 31K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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FMMT4124TC 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.24
最大集电极电流 (IC)：0.2 A基于收集器的最大容量：4 pF
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

FMMT4124TC 数据手册

  
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
SWITCHING TRANSISTOR  
FMMT4124  
ISSUE 2 – MARCH 94  
✪
PARTMARKING DETAIL –  
ZC  
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
30  
Collector-Emitter Voltage  
VCEO  
25  
5
V
Emitter-Base Voltage  
VEBO  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
IC  
200  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
330  
Tj:Tstg  
= 25°C).  
-55 to +150  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
30  
25  
5
IC=10µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
V
IC=1mA*  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
IE=10µA  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
ICBO  
50  
50  
0.3  
nA  
nA  
V
VCB=20V  
IEBO  
VEB=3V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
IC=50mA, IB=5mA*  
Base-Emitter  
SaturationVoltage  
VBE(sat)  
hFE  
0.95  
360  
V
IC=50mA, IB=5mA*  
Static Forward  
Current Transfer Ratio  
120  
60  
IC=2mA, VCE=1V*  
IC=50mA, VCE=1V*  
Transistion Frequency  
Output Capacitance  
Input Capacitance  
Noise Figure  
fT  
300  
MHz  
pF  
IC=10mA, VCE=20V, f=100MHz  
VCB=5V, IE=0, f=140KHz  
Cobo  
Cibo  
N
4
8
6
pF  
VBE=0.5V, IE=0, f=140KHz  
dB  
IC=200µA, VCE=5V, Rg=2kΩ  
f=30Hz to 15KHz at 3dB points  
Small Signal Current  
Transfer  
hfe  
120  
480  
IC=2mA, VCE=1V, f=1KHz  
SWITCHING CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C).  
PARAMETER  
Delay Time  
Rise Time  
SYMBOL  
TYP.  
UNIT  
CONDITIONS  
td  
tr  
ts  
tf  
24  
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC=3V, VBE(off=) 0.5V  
IC=10mA, IB1=1mA  
13  
Storage Time  
Fall Time  
125  
11  
VCC=3V, IC=10mA  
IB1=IB2=1mA  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
1

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