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FJAF4310

更新时间： 2024-11-20 21:54:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
5页 88K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor

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FJAF4310 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-3PF包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.67最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：140 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz
Base Number Matches：1

FJAF4310 数据手册

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FJAF4310  
Audio Power Amplifier  
•
•
•
•
High Current Capability : I =10A  
High Power Dissipation  
Wide S.O.A  
C
Complement to FJAF4210  
TO-3PF  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
200  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Base Current (DC)  
CBO  
140  
V
CEO  
EBO  
6
V
I
I
10  
A
C
1.5  
A
B
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
80  
W
C
C
R
Junction to Case  
1.48  
150  
°C/W  
°C  
°C  
θJC  
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
I =5mA, I =0  
200  
140  
6
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage I =50mA, R =∞  
C BE  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
I =5mA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=200V, I =0  
10  
10  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
V
V
=6V, I =0  
C
h
* DC Current Gain  
=4V, I =3A  
50  
180  
0.5  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I =5A, I =0.5A  
V
CE  
C
B
C
V
=10V, f=1MHz  
250  
30  
pF  
ob  
CB  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
=5V, I =1A  
MHz  
T
C
* Pulse Test : PW=20µs  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
50 ~ 100  
70 ~ 140  
90 ~ 180  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, November 2002  
12345

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