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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> FJAF6810ATU
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FJAF6810ATU

更新时间： 2024-09-16 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 100K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 750V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE, TO-3PF, 3 PIN

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FJAF6810ATU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3PF包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：750 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：60 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FJAF6810ATU 数据手册

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FJAF6810  
High Voltage Color Display Horizontal  
Deflection Output  
•
•
•
High Collector-Base Breakdown Voltage : BV  
= 1500V  
CBO  
High Switching Speed : t (typ.) =0.1µs  
F
For Color Monitor  
TO-3PF  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Rating  
1500  
750  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
6
V
I
I
10  
A
C
*
20  
A
CP  
P
60  
W
°C  
°C  
C
J
T
T
150  
-55 ~ 150  
STG  
* Pulse Test: Pulse Width=5ms, Duty Cycle < 10%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
1
Units  
mA  
µA  
I
I
I
V
V
V
=1400V, R =0  
CES  
CB  
CB  
EB  
BE  
=800V, I =0  
10  
1
CBO  
EBO  
E
=4V, I =0  
mA  
V
C
BV  
I =500µA, I =0  
6
EBO  
E
C
h
h
V
V
=5V, I =1A  
10  
5
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
=5V, I =6A  
8
3
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Storage Time  
I =6A, I =1.5A  
V
V
CE  
C
B
I =6A, I =1.5A  
1.5  
3
BE  
C
B
t
*
V
=200V, I =6A, R =33Ω  
µs  
µs  
STG  
CC  
C
L
I
=1.2A, I = - 2.4A  
t *  
Fall Time  
B1  
B2  
0.2  
F
* Pulse Test: PW=20µs, duty Cycle=1% Pulsed  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
2.08  
Units  
°C/W  
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
θjC  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, May 2001  
12345

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