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FJAF6808D

更新时间： 2024-11-05 22:05:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 80K
描述
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

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FJAF6808D 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3PF包装说明：TO-3PF, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.92外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：750 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：4.5
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：50 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

FJAF6808D 数据手册

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FJAF6808D  
High Voltage Color Display Horizontal  
Deflection Output (Damper Diode Built In)  
•
•
•
High Collector-Base Breakdown Voltage : BV  
= 1500V  
CBO  
High Switching Speed : t (typ.) =0.1µs  
F
For Color Monitor  
TO-3PF  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
Equivalent Circuit  
C
B
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
45  
Ω typ.  
E
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Rating  
1500  
750  
6
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
I
I
8
A
C
*
16  
A
CP  
P
50  
W
°C  
°C  
C
J
T
T
150  
- 55 ~ 150  
STG  
* Pulse Test: Pulse Width=5ms, Duty Cycle < 10%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Base-Emitter Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
1
Units  
mA  
µA  
I
I
I
V
V
V
=1400V, R =0  
CES  
CB  
CB  
EB  
BE  
=800V, I =0  
10  
CBO  
EBO  
E
=4V, I =0  
40  
6
200  
mA  
V
C
BV  
I =300mA, I =0  
E C  
EBO  
h
h
V
V
=5V, I =1A  
7
4.5  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
=5V, I =5A  
7.5  
5
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Damper Diode Turn On Voltage  
Storage Time  
I =5A, I =1.2A  
V
V
CE  
C
B
I =5A, I =1.2A  
1.5  
2
BE  
C
B
V
I = 4.5A  
V
F
F
t
*
V
=200V, I =4A, R =50Ω  
3
µs  
µs  
STG  
CC  
C
L
I
=1.0A, I = - 2.0A  
B2  
t *  
Fall Time  
B1  
0.2  
F
* Pulse Test: PW=20µs, duty Cycle=1% Pulsed  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Typ.  
Max.  
2.5  
Units  
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
°C/W  
θjC  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, October 2001  
12345

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