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FF800R12KE3

更新时间： 2024-09-18 03:36:39

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FF800R12KE3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	MODULE-10
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	1200 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X10
元件数量：	2	端子数量：	10
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1140 ns
标称接通时间 (ton)：	880 ns	Base Number Matches：	1

FF800R12KE3 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FF800R12KE3

vorläufige Daten

preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Kollektor Emitter Sperrspannung

collector emitter voltage

T_vj= 25°C

V_CES

1200

800

1200

I_{C, nom}

I_C

Kollektor Dauergleichstrom

DC collector current

T_c= 80°C

T_c= 25°C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_p= 1ms, T_c= 80°C

I_CRM

1600

3,9

Gesamt Verlustleistung

total power dissipation

T_c= 25°C; Transistor

P_tot

Gate Emitter Spitzenspannung

gate emitter peak voltage

V_GES

+/- 20

800

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

t_p= 1ms

I_FRM

1600

140

repetitive peak forward current

Grenzlastintegral

I²t value

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C

RMS, f= 50Hz, t= 1min.

I²t

k A²s

Isolations Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

2,5

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

min.

typ.

1,7

max.

2,15

I_C= 800A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C,

Kollektor Emitter Sättigungsspannung

collector emitter satration voltage

V_CEsat

V_GE(th)

Q_G

I_C= 800A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C,

t.b.d.

Gate Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 32mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C,

5,8

7,7

2,7

6,5

Gateladung

gate charge

V_GE= -15V...+15V; V_CE=...V

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

Kollektor Emitter Reststrom

collector emitter cut off current

V_GE= 0V, T_vj= 25°C, V_CE= 1200V

I_CES

Gate Emitter Reststrom

gate emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

400

prepared by: MOD-D2; Mark Münzer

approved: SM TM; Christoph Lübke

date of publication: 2002-07-30

revision: 2.0

DB_FF800R12KE3_2.0.xls

2002-07-30

1 (8)

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