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FF800R12KL4CNOSA1

更新时间： 2024-11-07 15:45:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	370K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1250A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10

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FF800R12KL4CNOSA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	MODULE-10	针数：	10
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.64
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	1250 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X10	元件数量：	2
端子数量：	10	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1210 ns
标称接通时间 (ton)：	460 ns	Base Number Matches：	1

FF800R12KL4CNOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF800R12KL4C

1200VꢀIGBTꢀModulꢀmitꢀlowꢀlossꢀIGBTꢀderꢀ2.tenꢀGenerationꢀundꢀsofterꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀ

1200VꢀIGBTꢀModuleꢀwithꢀlowꢀlossꢀIGBTꢀofꢀ2ndꢀgenerationꢀandꢀsoftꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀ

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1200

V_CES

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

800

1250

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

1600

5,00

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ kW

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 800 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,10 2,60

2,40 2,90

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 32,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

4,5

5,5

8,60

1,6

56,0

3,60

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,27

0,29

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,16

0,17

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,00

1,10

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,10

0,11

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 800 A, V_CE= 600 V, L_S= 70 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

120

130

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 800 A, V_CE= 600 V, L_S= 70 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

5300

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

25,0 K/kW

K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

19,0

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀDTS

approvedꢀby:ꢀTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02

revision:ꢀ3.1

12 3 4 5 6 7 8

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与FF800R12KL4CNOSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF800R17KE3	EUPEC	获取价格	IGBT-inverter
FF800R17KE3	INFINEON	获取价格	IHM 1700 V, 800 A 130mm 双 IGBT 模块 ,采用第三代 IGBT
FF800R17KE3_04	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FF800R17KE3_B2	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FF800R17KE3NOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1150A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10
FF800R17KF6C_B2	INFINEON	获取价格	IGBT
FF800R17KF6CB2	ETC	获取价格	IGBT Module
FF800R17KF6C-B2	INFINEON	获取价格	IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FF800R17KP4_B2	INFINEON	获取价格	IHM-A Modul mit soft schaltendem Trench-IGBT4
FF800R17KP4B2NOSA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10

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