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FF800R17KE3

更新时间： 2024-09-18 03:09:11
品牌 Logo 应用领域
EUPEC 晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 256K
描述
IGBT-inverter

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FF800R17KE3 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：MODULE-10
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.57
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：1150 A
集电极-发射极最大电压：1700 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X10元件数量：2
端子数量：10封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：1900 ns标称接通时间 (ton)：900 ns
Base Number Matches：1

FF800R17KE3 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FF800R17KE3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1700  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C  
T† = 25°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
800  
1150  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms, T† = 80°C  
T† = 25°C  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
1600  
4,45  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 800 A, V•Š = 15 V, TÝÎ = 25°C  
I† = 800 A, V•Š = 15 V, TÝÎ = 125°C  
V†Š ÙÈÚ  
2,00 2,45  
2,40  
V
V
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 32,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•ŠÚÌ  
Q•  
5,2  
5,8  
9,00  
1,9  
6,4  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
V•Š = -15 V ... +15 V  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
CØþÙ  
I†Š»  
I•Š»  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1700 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
75,0  
2,30  
nF  
nF  
mA  
nA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
400  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1,8 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1,8 Â, TÝÎ = 125°C  
tÁ ÓÒ  
tØ  
0,45  
0,50  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1,8 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1,8 Â, TÝÎ = 125°C  
0,14  
0,15  
µs  
µs  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 2,2 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 2,2 Â, TÝÎ = 125°C  
tÁ ÓËË  
tË  
1,20  
1,40  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 2,2 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 2,2 Â, TÝÎ = 125°C  
0,14  
0,25  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 800 A, V†Š = 900 V, L» = 50 nH  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1,8 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1,8 Â, TÝÎ = 125°C  
EÓÒ  
EÓËË  
160  
240  
mJ  
mJ  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 800 A, V†Š = 900 V, L» = 50 nH  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 2,2 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 2,2 Â, TÝÎ = 125°C  
210  
280  
mJ  
mJ  
Kurzschlußverhalten  
SC data  
t« ù 10 µs, V•Š ù 15 V  
TÝÎù125°C, V†† = 1000 V, V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
3100  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
28,0 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
17,0  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Martin Wölz  
date of publication: 2003-4-10  
revision: 2.0  
approved by: Christoph Lübke  
1
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FF800R17KE3_04 EUPEC

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