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FF800R17KF6C-B2

更新时间： 2024-11-07 11:58:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	407K
描述
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

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FF800R17KF6C-B2 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀtechnicalꢀinformation

FF800R17KF6C_B2

1700VꢀIGBTꢀModulꢀmitꢀlowꢀlossꢀIGBTꢀderꢀ2.tenꢀGenerationꢀundꢀsofterꢀEmConꢀDiodeꢀ

1700VꢀIGBTꢀModuleꢀwithꢀlowꢀlossꢀIGBTꢀofꢀ2ndꢀgenerationꢀandꢀsoftꢀEmConꢀDiodeꢀ

IGBT-Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT-inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀdata

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1700

V_CES

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_vj= 150°C

T_C= 25°C, T_vj= 150°C

I_{C nom}

I_C

800

1300

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

1600

6,25

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_vj= 150°C

ꢀ kW

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/- 20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 800 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,60 3,10

3,10 3,60

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 65,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

4,5

5,5

9,60

1,3

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1700 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

52,0

2,70

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

0,02 1,5 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,2 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,40

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,2 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,14

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,10

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,13

0,14

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 800 A, V_CE= 900 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,2 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

290

335

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 800 A, V_CE= 900 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 1000 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

3200

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

pro IGBT / per IGBT

R_thJC

R_thCH

ꢀ

20,0 K/kW

K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper pro IGBT / per IGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

25,0

_Paste= 1 W/(m·K)

λ_grease= 1 W/(m·K)

preparedꢀby:ꢀWB

approvedꢀby:ꢀPL

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2012-09-27

revision:ꢀ2.1

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FF8062700835817/SR014	INTEL	获取价格	RISC Microprocessor, 64-Bit, 3300MHz, CMOS, PPGA988
FF8062700848702/SR0HR	INTEL	获取价格	RISC Microprocessor, 64-Bit, 1800MHz, CMOS, PPGA988
FF8062701142600/SR0EW	INTEL	获取价格	RISC Microprocessor, 64-Bit, 1500MHz, CMOS, PPGA988
FF8C116.000MHZ	CALIBER	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal
FF8-CM	GAMEWELL-FCI	获取价格	NAC Expander/Power Supply
FF8E113.999MHZ	CALIBER	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal,
FF8E116.000MHZ	CALIBER	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal
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