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FF900R12IE4VP

更新时间： 2024-11-21 14:56:11

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FF900R12IE4VP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X10	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.55
其他特性：	UL APPROVED	外壳连接：	ISOLATED
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X10	元件数量：	2
端子数量：	10	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	940 ns
标称接通时间 (ton)：	350 ns	Base Number Matches：	1

FF900R12IE4VP 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FF900R12IE4VP

PrimePACK™2ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiode

PrimePACK™2ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀdiode

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 900A / I_CRM= 1800A

TypischeꢀAnwendungen

• Hybrid-Nutzfahrzeuge

• Traktionsumrichter

TypicalꢀApplications

• CommercialꢀAgricultureꢀVehicles

• Tractionꢀdrives

ElektrischeꢀEigenschaften

• HoheꢀKurzschlussrobustheit

• HoheꢀStoßstromfestigkeit

• HoheꢀStromdichte

ElectricalꢀFeatures

• Highꢀshort-circuitꢀcapability

• Highꢀsurgeꢀcurrentꢀcapability

• Highꢀcurrentꢀdensity

• NiedrigeꢀSchaltverluste

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

• Lowꢀswitchingꢀlosses

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

• V_CEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient

MechanischeꢀEigenschaften

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit

• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400

MechanicalꢀFeatures

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken

• HoheꢀmechanischeꢀRobustheit

• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor

• RoHSꢀkonform

• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances

• Highꢀmechanicalꢀrobustness

• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor

• RoHSꢀcompliant

• Thermisches Interface Material bereits

• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial

aufgetragen

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀSM

approvedꢀby:ꢀRN

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-08-23

revision:ꢀV3.0

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

12 3 4 5 6 7...10

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与FF900R12IE4VP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF900R12IE4VPBOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10
FF900R12IP4	INFINEON	获取价格	PrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
FF900R12IP4BOSA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
FF900R12IP4D	INFINEON	获取价格	PrimePACK?2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr??erer Emitter Controlled 4 Diode und NTC
FF900R12IP4DBOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
FF900R12IP4DBOSA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
FF900R12IP4DV	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
FF900R12IP4P	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
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