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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X10 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.55 |
| 其他特性： | UL APPROVED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X10 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 10 | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 940 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 350 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF900R12IE4VPBOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 |
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| FF900R12IP4 | INFINEON |
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PrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC |
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| FF900R12IP4BOSA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11 |
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| FF900R12IP4D | INFINEON |
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PrimePACK?2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr??erer Emitter Controlled 4 Diode und NTC |
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| FF900R12IP4DBOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11 |
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| FF900R12IP4DBOSA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11 |
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| FF900R12IP4DV | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| FF900R12IP4P | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FF900R12IP4V | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| FF900R12ME7_B11 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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