Datasheet > FF900R12IE4VP

FF900R12IE4VP

更新时间： 2024-02-23 09:11:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	634K
描述
TIM

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FF900R12IE4VP 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FF900R12IE4VP

PrimePACK™2ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiode

PrimePACK™2ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀdiode

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 900A / I_CRM= 1800A

TypischeꢀAnwendungen

• Hybrid-Nutzfahrzeuge

• Traktionsumrichter

TypicalꢀApplications

• CommercialꢀAgricultureꢀVehicles

• Tractionꢀdrives

ElektrischeꢀEigenschaften

• HoheꢀKurzschlussrobustheit

• HoheꢀStoßstromfestigkeit

• HoheꢀStromdichte

ElectricalꢀFeatures

• Highꢀshort-circuitꢀcapability

• Highꢀsurgeꢀcurrentꢀcapability

• Highꢀcurrentꢀdensity

• NiedrigeꢀSchaltverluste

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

• Lowꢀswitchingꢀlosses

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

• V_CEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient

MechanischeꢀEigenschaften

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit

• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400

MechanicalꢀFeatures

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken

• HoheꢀmechanischeꢀRobustheit

• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor

• RoHSꢀkonform

• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances

• Highꢀmechanicalꢀrobustness

• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor

• RoHSꢀcompliant

• Thermisches Interface Material bereits

• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial

aufgetragen

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀSM

approvedꢀby:ꢀRN

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-08-23

revision:ꢀV3.0

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

12 3 4 5 6 7...10

下载PDF

与FF900R12IE4VP相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FF900R12IE4VPBOSA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10	获取价格
FF900R12IP4	INFINEON	PrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC	获取价格
FF900R12IP4BOSA2	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11	获取价格
FF900R12IP4D	INFINEON	PrimePACK?2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr??erer Emitter Controlled 4 Diode und NTC	获取价格
FF900R12IP4DBOSA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11	获取价格
FF900R12IP4DBOSA2	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11	获取价格