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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | MODULE-10 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.6 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 800 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X10 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 10 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1050 ns | 标称接通时间 (ton)： | 700 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF800R12KL4C | ETC |
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IGBT Module |
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| FF800R12KL4CNOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1250A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 |
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| FF800R17KE3 | EUPEC |
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IGBT-inverter |
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| FF800R17KE3 | INFINEON |
获取价格 |
IHM 1700 V, 800 A 130mm 双 IGBT 模块 ,采用第三代 IGBT |
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| FF800R17KE3_04 | EUPEC |
获取价格 |
IGBT-modules |
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| FF800R17KE3_B2 | EUPEC |
获取价格 |
IGBT-modules |
|
| FF800R17KE3NOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1150A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 |
|
| FF800R17KF6C_B2 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT |
|
| FF800R17KF6CB2 | ETC |
获取价格 |
IGBT Module |
|
| FF800R17KF6C-B2 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter |
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