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FF800R12KL4C

更新时间： 2024-11-06 23:52:03

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IGBT Module

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FF800R12KL4C 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FF 800 R 12 KL4C

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

V_CES

1200

_C= 80 °C

I_C,nom.

I_C

800

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

T_C= 25 °C

1250

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_P= 1 ms, T_C= 80°C

I_CRM

1600

5,0

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T_C=25°C, Transistor

P_tot

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

+/- 20V

800

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

t_P= 1 ms

I_FRM

1600

140

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

kA²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

2,5

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

Transistor / Transistor

_C= 800A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

V_{CE sat}

2,1

2,4

2,6

2,9

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 800A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 32mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE(th)

4,5

5,5

8,6

6,5

Gateladung

gate charge

V_GE= -15V...+15V

Q_G

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

I_CES

3,6

V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

0,02

1,5

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

600

prepared by: Mark Münzer

approved by: M. Hierholzer

date of publication: 02.09.1999

revision: 2

1(8)

Seriendatenblatt_FF800R12KL4C

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