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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF75R12KF2 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL093HD5.6 |
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| FF75R12KL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL093HD5.6 |
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| FF75R12RT4 | INFINEON |
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34 mm 1200 V、75 A 双 IGBT 模块, 采用快速 TRENCHSTOP™ |
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| FF75R12YT3 | EUPEC |
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IGBT-modules |
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| FF75R12YT3BOMA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, MODULE-24 |
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| FF7AG | GOOD-ARK |
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| FF7S | GOOD-ARK |
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Surface Mount Glass Passivated Fast Recovery Rectifier |
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| FF8 | GAMEWELL-FCI |
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NAC Expander/Power Supply |
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| FF800R12KE3 | EUPEC |
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Technische Information / technical information |
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| FF800R12KE7 | INFINEON |
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62 mm 1200 V, 800 A 低饱和压降的Fast trench IGBT半桥模 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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