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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | CSP |
| 包装说明： | GRID ARRAY, R-PBGA-B6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.79 |
| Samacsys Description： | ON SEMICONDUCTOR - FDZ191P. - N CHANNEL MOSFET, -20V, -3A, WL-CSP | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PBGA-B6 |
| JESD-609代码： | e1 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDZ191P_0612 | FAIRCHILD |
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P-Channel 1.5V PowerTrench㈢ WL-CSP MOSFET |
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| FDZ192NZ | FAIRCHILD |
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N-Channel 1.5 V Specified PowerTrench® Thin |
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| FDZ192NZ | ONSEMI |
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MOSFET，20V N 沟道，39mΩ，WL-CSP |
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| FDZ193P | FAIRCHILD |
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P-Channel 1.7V PowerTrench WL-CSP MOSFET -20V, -1A, 90mohm |
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| FDZ193P | ONSEMI |
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P 沟道，1.7V PowerTrench® WL-CSP MOSFET，-20V，-1A |
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| FDZ197PZ | FAIRCHILD |
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P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench® Thin |
|
| FDZ197PZ | ONSEMI |
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-20Ｖ P沟道1.5V 额定PowerTrench®薄型WL-CSP MOSFET |
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| FDZ2.0E | FS |
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Zener Voltage Regulators |
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| FDZ2.3SOD723 | FS |
获取价格 |
ZENER DIODE |
|
| FDZ2.4E | FS |
获取价格 |
Zener Voltage Regulators |
|
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