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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | ULTRA THIN, BGA-12 |
| 针数： | 12 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.35 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A | 最大漏极电流 (ID)： | 9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B12 | JESD-609代码： | e2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 12 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.7 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Silver (Sn/Ag) | 端子形式： | BALL |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDZ201N_04 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
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| FDZ201N_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 20V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FDZ202P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET |
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| FDZ202P_04 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
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| FDZ203N | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
|
| FDZ203N_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDZ2040L | FAIRCHILD |
获取价格 |
Integrated Load Switch |
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| FDZ2040L | ONSEMI |
获取价格 |
集成式负载开关 |
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| FDZ204P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench |
|
| FDZ204P_04 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
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