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FDZ1905PZ

更新时间： 2024-12-02 11:13:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 397K
描述
共漏极 P 沟道 1.5V PowerTrench® WL-CSP MOSFET -20V，-3A，123mΩ

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FDZ1905PZ 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：1.50 X 1 MM, ROHS COMPLIANT, ULTRA THIN, BGA-6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：1.55配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PBGA-B6
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDZ1905PZ 数据手册

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MOSFET – P-Channel,  
POWERTRENCH), Common  
Drain: 1.5 V, WLCSP  
-20 V, -3 A, 126 mW  
FDZ1905PZ  
www.onsemi.com  
General Description  
This device is designed specifically as a single package solution for  
the battery charge switch in cellular handset and other ultra−portable  
applications. It features two common drain P−channel MOSFETs,  
which enables bidirectional current flow, on ON Semiconductor’s  
advanced 1.5 V POWERTRENCH process with state of the art “low  
pitch” WLCSP packaging process, the FDZ1905PZ minimizes both  
S1  
G1  
PCB space and r  
. This advanced WLCSP MOSFET embodies  
S1S2(on)  
a breakthrough in packaging technology which enables the device to  
combine excellent thermal transfer characteristics, ultra−low profile  
G2  
packaging, low gate charge, and low r  
.
S1S2(on)  
Features  
S2  
• Max r  
• Max r  
• Max r  
• Max r  
= 126 mW at V = –4.5 V, I  
= –1 A  
= –1 A  
= –1 A  
= –1 A  
S1S2(on)  
S1S2(on)  
S1S2(on)  
S1S2(on)  
GS  
S1S2  
S1S2  
S1S2  
S1S2  
P−Channel MOSFET  
= 141 mW at V = –2.5 V, I  
GS  
= 198 mW at V = –1.8 V, I  
PIN 1  
GS  
S1  
= 303 mW at V = –1.5 V, I  
GS  
G1  
S1  
S2  
2
• Occupies only 1.5 mm of PCB area, less than 50% of the area of  
2 x 2 BGA  
S2  
G2  
• Ultra−thin package: less than 0.65 mm height when mounted to PCB  
• High power and current handling capability  
• HBM ESD protection level > 4 kV (Note 3)  
• This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant  
TOP  
BOTTOM  
WLCSP6 1.5x1x0.6  
CASE 567PW  
MARKING DIAGRAM  
&Y  
5&X  
&.  
5
= Specific Device Code  
= Year Date Code  
= Weekly Date Code  
= Pin Mark  
&Y  
&X  
&.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 6 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
January, 2020 − Rev. 2  
FDZ1905PZ/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDZ191P FAIRCHILD

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