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FDW2507NZ

更新时间： 2024-11-18 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 130K
描述
Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET

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FDW2507NZ 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：TSSOP-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
Is Samacsys：N配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.5 A
最大漏极电流 (ID)：7.5 A最大漏源导通电阻：0.019 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDW2507NZ 数据手册

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March 2003  
FDW2507NZ  
Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This monolithic common drain N-Channel MOSFET has  
been designed using Fairchild Semiconductor’s  
advanced PowerTrench process to optimize the RDS(ON)  
@ VGS = 2.5v on special TSSOP-8 lead frame with all  
the drains on one side of the package.  
• 7.5 A, 20 V  
RDS(ON) = 19 mΩ @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 23 mΩ @ VGS = 2.5 V  
• Isolated source and drain pins  
• ESD protection diode (note 3)  
Applications  
• Li-Ion Battery Pack  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON) @ VGS = 2.5 V  
• Low profile TSSOP-8 package  
1
2
3
4
8
7
6
5
TSSOP-8  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
20  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±12  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
7.5  
30  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
PD  
W
1.1  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
77  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
114  
RθJA  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
2507NZ  
FDW2507NZ  
13’’  
12mm  
3000 units  
FDW2507NZ Rev C2  
2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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