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FDW2506P_NL

更新时间： 2024-11-19 20:06:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 89K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-153AA, TSSOP-8

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FDW2506P_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：TSSOP-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.3 A最大漏极电流 (ID)：5.3 A
最大漏源导通电阻：0.022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-153AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDW2506P_NL 数据手册

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October 2000  
FDW2506P  
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged  
gate version of Fairchild's Semiconductor’s advanced  
PowerTrench process. It has been optimized for power  
management applications with a wide range of gate  
drive voltage (2.5V – 12V).  
• –5.3 A, –20 V, RDS(ON) = 0.022 Ω @ VGS = –4.5 V.  
RDS(ON) = 0.033 Ω @ VGS = –2.5V.  
• Extended VGSS range (±12V) for battery applications  
• Low gate charge  
Applications  
• Load switch  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• Motor drive  
• DC/DC conversion  
• Power management  
• Low profile TSSOP-8 package  
G
2
S
2
1
2
3
4
8
7
6
5
S
2
D
2
G
1
S
1
S
1
D
1
TSSOP-8  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
–20  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
V
A
±12  
–5.3  
–30  
(Note 1)  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.0  
0.6  
W
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
125  
208  
RθJA  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
2506P  
FDW2506P  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDW2506P Rev. C (W)  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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FDW2506P_NL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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